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【2h】

An Over 90 dB Intra-Scene Single-Exposure Dynamic Range CMOS Image Sensor Using a 3.0 μm Triple-Gain Pixel Fabricated in a Standard BSI Process

机译：采用标准BsI工艺制造的3.0μm三倍增益像素的超过90 dB场景内单次曝光动态范围CmOs图像传感器

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Isao Takayanagi; Norio Yoshimura; Kazuya Mori; Shinichiro Matsuo; Shunsuke Tanaka; Hirofumi Abe; Naoto Yasuda; Kenichiro Ishikawa; Shunsuke Okura; Shinji Ohsawa; Toshinori Otaka;
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年度 2018
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机译：151 dB高动态范围CMOS图像传感器芯片架构，具有嵌入像素内的色调映射压缩

An Over 90 dB Intra-Scene Single-Exposure Dynamic Range CMOS Image Sensor Using a 3.0 μm Triple-Gain Pixel Fabricated in a Standard BSI Process

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